三星展示LLW DRAM，预计Galaxy S24系列将率先搭载

　　三星公司今天发布了一份公告，宣布他们为满足设备端本地AI运行的需求而专门研发了LLW（Low Latency Wide IO）DRAM，其性能较现有的LPDDR解决方案更为优越。

　　LLW DRAM通过垂直集成存储器和逻辑电路实现了更高的效率和更低的延迟。为了介绍LLW DRAM，三星半导体今天在其官方X平台账号发布了一段介绍视频。该DRAM广泛适用于智能手机、笔记本电脑和VR头显。

　　三星在今年年初的 Tech Day 上首次展示了LLW DRAM，随后在 Memory Tech Day 上再次展示了其LPDDR5X CAMM2解决方案。除此之外，该视频还展示了一款集成了LLW DRAM的手机，因此，未来的Galaxy设备似乎可能会采用相同的解决方案，从而提高性能。广告中展示的手机确实与当前一代三星设备非常相似，应该是即将推出的Galaxy S24系列。

　　三星也不是第一家实施LLW的公司，苹果的Vision Pro头显使用扇出晶圆级封装（FOWLP），将R1芯片与LLW DRAM封装在一起。这些展示表明，三星正在不断努力提高其产品的性能和技术水平，并且可能会引领未来移动设备的市场。期待三星的新产品能够给消费者带来更好的使用体验。

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